المغنطرون الاخرق وانها شروط جيل

1. Magnetron الاخرق

الاخرق المغنطروني هو الاخرق ذو الاثنان في وضع تشغيل مغنترون. الاختلافات بين الاخرق الصمام الثنائي و الاخرق رباعي الاقطاب هي كما يلي:

يتم وضع المغناطيس الدائم أو المغناطيس الكهرومغناطيسي خلف هدف الكاثود الفاسد. يتم إنشاء حقل مغناطيسي لمكون أفقي أو حقل مغناطيسي مكون عمودي (على سبيل المثال ، هدف معاكس) على السطح المستهدف ، ويجب أن تعمل الإلكترونات الناتجة عن تصريف الغاز في مدار محدد داخل منطقة البلازما. بالقرب من سطح الهدف. ويدور في دوائر على طول مدرج معين تحت العمل المعقد لقوة المجال الكهربائي وقوة المجال المغناطيسي. الحقل المغناطيسي للسطح المستهدف له تأثير كبح على الجسيمات المشحونة ، وكلما كان المجال المغناطيسي أقوى ، كلما كانت قوة الربط أكثر إحكامًا. بسبب ربط وتسريع المجال الكهرومغناطيسي للإلكترونات ، يتم تمديد مسار الحركة أيضًا بشكل كبير قبل أن تصل الإلكترونات إلى الركيزة والأنود ، بحيث يزداد بشكل كبير احتمال تأكسد تصادم غاز Ar المحلي. تتسارع قوة الأرجون Ar + تحت تأثير المجال الكهربائي ، ثم تقصف الأهداف التي كانت بمثابة كاثود. يتم تفتيت الجزيئات والذرات والأيونات والإلكترونات على سطح الهدف من أجل زيادة معدل استخلاص ترشيش الهدف. تحمل الجسيمات الممزقة كمية معينة من الطاقة الحركية ، فإنها تضرب الركيزة في اتجاه معين ، وأخيرا توضع على الركيزة لتشكيل فيلم. بعد العديد من الاصطدامات ، تنخفض طاقة الإلكترونات تدريجيًا ، وتحرر من قيود التدفق المغناطيسي ، وتسقط في النهاية على الركيزة ، جدار غرفة التفريغ ، وأنود الطاقة المستهدف.

الزيادة في احتمال تأين الغاز العامل والزيادة في معدل التأين من الهدف تقلل من المقاومة الداخلية لتصريف غاز التفريغ. لذلك ، فإن جهد العمل من أجل ترسيب الترسب للهدف المغنطروني منخفض (غالباً بين 4-600 V). أحيانًا يكون جهد التشغيل أعلى قليلاً (على سبيل المثال ،> 700V) وتكون بعض الفولتية التشغيلية أقل (على سبيل المثال ، حوالي 300 فولت). عندما يحدث الاخرق المغنطروني ، يقع جهد عملية الاخرق بشكل رئيسي على منطقة الهبوط المهبطية للهدف المغنطروني.

نظرًا لأن الطبقة المغنطرونية المخروطية متجانسة وكثيفة مع ثقوب صغيرة ، عالية النقاء والالتصاق القوي ، يمكنها تحقيق ترسب عالي السرعة لأفلام متنوعة تحت درجة حرارة منخفضة وظروف ضرر منخفضة. أصبح الرش المغنطروني نوعًا من التكنولوجيا الناضجة وطرق الإنتاج الصناعية في طلاء الفراغ في الوقت الحاضر. لقد تم تطوير تقنية الرش المغنطروني بشكل سريع واستخدامها على نطاق واسع في البحث العلمي والتصنيع لمختلف الصناعات.

باختصار ، فإن تقنية الاخرق المغنطروني هي عملية طلاء الرشاش الذي يستخدم المجال الكهرومغناطيسي للتحكم في مسار وتوزيع الأيونات والإلكترونات من الغاز "تفريغ الوهج غير الطبيعي" في غرفة التفريغ.

2. شروط الجيل الثالث لالأخرق Magnetron

يجب أن تستوفي التصريفات الغازية من Magnetron ، والتي تسبب بدورها الرذاذ ، ثلاث شروط ضرورية وكافية:

(1) وجود ضغط غاز تصريف مناسب P: DC أو نفث مغنطرون متوسط التردد نابض ، حوالي 0. 1 Pa ~ 10Pa) ، القيمة النموذجية هي 5 × 10 ^-1 باسكال ؛ تفريغ مغناطيسي RF حوالي 10 ^-1 ~ 10 ^-2 باسكال.

(2) يحتوي سطح الهدف المغنطروني على شدة مجال مغناطيسي أفقية (أو مكافئة) معينة B (حوالي 10mT ~ 100mT) ، والقيمة النموذجية هي 30 ~ 50mT ، والحد الأدنى 10 ~ 20mT (100 ~ 200 Gauss).

(3) تحتوي غرفة التفريغ على حقل كهربائي V متعامد (أو متعامد بشكل مكافئ) مع المجال المغناطيسي ، وتكون القيمة النموذجية من 500 إلى 700V.

نحن عموما نشير إلى الشروط الثلاثة المذكورة أعلاه كظروف PBV.