مبدأ العمل من غير المتناظر نابض Magnetron الاخرق

يتبنى الرش المغنطروني النبضي عمومًا جهد موجة مستطيلة. هذا ليس فقط لأنه يمكن بسهولة استخدام الأجهزة الإلكترونية الحالية للحصول على شكل موجة من الجهد موجة مستطيلة باستخدام وضع التحويل ، ولكن أيضا شكل موجة مستطيلة الجهد الموجي هو مناسب لدراسة الاختلاف في البلازما التصريف الاخرق. يوضح الشكل 1 شكل موجة مستطيلة ذات موجة مستطيلة للرشقة النبضية. فترة النبضة هي T. إن الوقت الذي يتم فيه مرور الهدف في كل دورة هو T-ΔT ، و ΔT هو الوقت (العرض) للنبض الموجب المطبق على الهدف. V ⁺ و V ^- هي على التوالي اتساع التيار الكهربائي للنبضات الموجبة السالبة والموجبة على الهدف. من أجل الحفاظ على معدل إرفاق أعلى ، فإن مدة النبض الموجب ΔT أصغر بكثير من فترة النبض T.

من أجل تحييد الشحنة الموجبة المتراكمة على طبقة العزل السطحي المستهدف بشكل كامل في وقت أقصر ΔT ، لا يمكن أن يكون الجهد الموجب V على السطح المستهدف منخفضًا للغاية ، ولكنه لا يكون أعلى من 100V بشكل عام. نظرًا لأن شكل الموجة النبضي المستخدم غير متماثل ، يتم تسميته باسم الرش المغنطروني النبضي غير المتماثل.

الشكل 1. شكل موجة من الجهد المستطيل الموجي للأخرق النشط رد الفعل

يختلف الإبراق النبضي عن التردد المزدوج للتردد المتوسط في أنه يستخدم عادة هدفًا واحدًا فقط. من خلال استخدام تقنية الرش المغنطروني التفاعلي النبضي ، تحقق ترسيب طويل الأجل للأفلام Al2O3 بمعدل ترسيب قدره 240 نانومتر / دقيقة. كان سمك الفيلم Al2O3 المغلفة تصل إلى 50 ميكرومتر. بسبب النجاح في القضاء على الإشعال المستهدف ، يتم تقليل عيوب أفلام Al2O3 بمقدار 3 إلى 4 مرات من المقادير. يظهر الرش المغنطروني التفاعلي النبضي تفوقه في ترسيب Si O2 و Ti Ox و Ta Ox و Si Nx و DLC و Al2O3 و ITO وأفلام أخرى.

نبض الاخرق هو أكثر ملاءمة لتبديد الحرارة للهدف ، وهذا هو ، من الممكن تزويد الطاقة مع نبضات عالية الطاقة. لذلك ، تتميز عملية التصفيح بقدر أكبر من الانتقائية والمرونة. إن ظهور تكنولوجيا التروس الوسيطة AC magnetron و تقنية sputtering النبضية الغير متناظرة قد أرسى الأساس لتصنيع تكنولوجيا تشكيل الفيلم الرشاشى للتفاعل الكيميائي.